آزمون فیزیک (2) یازدهم تجربی مرحله دوم پایش مدارس تیزهوشان | اردیبهشت 1403
فصل 2: جریان الکتریکی و مدارهای جریان مستقیم
قسمت 5: توان در مدارهای الکتریکی
قسمت 6: ترکیب مقاومتها
فصل 3: مغناطیس و القای الکترومغناطیسی
قسمت 1: مغناطیس و قطبهای مغناطیسی
قسمت 2: میدان مغناطیسی
قسمت 3: نیروی مغناطیسی وارد بر ذرّۀ باردار متحرک در میدان مغناطیسی
قسمت 4: نیروی مغناطیسی وارد بر سیم حامل جریان
قسمت 5: میدان مغناطیسی حاصل از جریان الکتریکی
قسمت 6: ویژگیهای مغناطیسی مواد
قسمت 7: پدیدهٔ القای الکترومغناطیسی
قسمت 8: قانون القای الکترومغناطیسی فاراده
قسمت 9: قانون لنز
قسمت 10: القاگرها
لطفا برای اطمینان از عملکرد و تجربه بهتر از مرورگرهای مدرن و به روز مانند کروم یا فایرفاکس استفاده کنید.
شكل زير مدار بستهٔ تک حلقهای را نشان میدهد كه از رسانای ساكن $U$ شكل و سيم راست و لغزندهٔ $AC$ ساخته شده است. مدار در ميدان مغناطيسی يكنواخت برونسوی $\overrightarrow{B}$ قرار دارد. در لحظاتی كه سيم $AC$ را بهطرف راست حركت دهيم، جريان القايی در مدار .............. و نيروی مغناطيسیای ميدان برونسوی $\overrightarrow{B}$ به سيم $AC$ وارد میكند بهطرف ............... است.

