برای انجام آزمایشی به یک سیملوله آرمانی نیاز داریم که هرگاه به شدت جریان ۲۰۰mA متصل شود بزرگی میدان مغناطیسی در نقطهای درون سیملوله و دور از لبهها، ۶G شود. کدامیک از سیملولههای زیر برای انجام این آزمایش مناسب است؟ علت انتخاب صحیح در کدام گزینه آمده است؟ (عدد $\pi \cong ۳$ در نظر بگیرید) ${\mu _۰} = ۴\pi \times {۱۰^{ - ۷}}T.m/A$
الف - یک سیملوله آرمانی است.
ب- یک سیملوله آرمانی است.
الف و ج - بزرگی میدان مغناطیسی در مرکز هر دو سیملوله ۶G میشود.
ج - چون قطر حلقههای سیملوله باید نسبتاً بزرگ باشد.
برای دیدن پاسخ تشریحی یک گزینه را انتخاب کن یا بزن رو